中国无锡，2025年9月4日 —— 在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012.SH）宣布重磅推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺，不仅充分彰显了中微公司在技术领域的硬核实力，更进一步巩固了其在高端半导体设备市场的领先地位，为加速向高端设备平台化公司转型注入强劲新动能。

开幕式上，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士在主旨报告环节正式宣布了六款新设备的发布，并深入阐述了新产品的先进性能与独特优势。他强调，中微公司始终以市场与客户需求为导向，持续加大研发力度。公司2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长约53.70 %， 研发投入占公司营业收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发投入水平。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发速度实现跨越式提升 —— 过去一款新设备的开发周期通常为3到5 年，如今仅需 2 年甚至更短时间就能推出极具市场竞争力的产品并顺利落地。

刻蚀技术再攀高峰两款新品又增核心竞争力

在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。

中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP 电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE? 基于成熟的 Primo HD-RIE? 设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。

Primo UD-RIE?引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层调节边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热管理，有效提升了设备的稳定性和可靠性。同时，Primo UD-RIE?还采用了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件，不仅提高了抗电弧放电能力，还显著提升了晶圆边缘的良率，为生产先进存储芯片提供了有力保障。

中微公司Primo UD-RIE?

同步亮相的PrimoMenova??12 寸ICP 单腔刻蚀设备，专注于金属刻蚀领域，尤其擅长金属 Al 线、Al 块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的核心设备。这款设备延续了中微公司量产机型 Primo Nanova? 的优秀基因，在刻蚀均一性控制方面表现卓越，可实现高速率、高选择比及低底层介质损伤等优异性能。同时，其高效腔体清洁工艺能有效减少腔室污染、延长持续运行时间；集成的高温水蒸气除胶腔室（VoDMstrip chamber）可高效清除金属刻蚀后晶圆表面残留的光刻胶及副产物。此外，主刻蚀腔体与除胶腔体可根据客户工艺需求灵活组合，最大限度满足高生产效率要求，确保高负荷生产中的稳定性与良率。今年 6 月，该设备的全球首台机已付运到客户认证，进展顺利，并和更多的客户展开合作。

中微公司Primo Menova??

薄膜沉积布局升级Preforma Uniflash?系列填补空白

在此次新品发布中，中微公司推出的12 英寸原子层沉积产品 Preforma Uniflash?金属栅系列，成为薄膜沉积领域的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash?TiN、Preforma Uniflash?TiAI及Preforma Uniflash? TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

Preforma Uniflash?金属栅系列产品采用中微公司独创的双反应台设计，系统可灵活配置多达五个双反应台反应腔，满足高真空系统工艺集成需求的同时实现业界领先的生产效率。该系列产品搭载中微公司独有的多级匀气混气系统，融合基于模型算法的加热系统设计，以及可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等核心技术，不仅能满足先进逻辑客户的性能需求，其设备在薄膜均一性、污染物控制能力及生产效率方面均达到世界先进水平。

随着半导体技术的迭代升级，原子层沉积技术的应用需求持续攀升。其中，金属栅应用作为先进逻辑器件的关键环节，对设备的薄膜厚度和特性的精准控制、台阶覆盖率、颗粒物污染控制及系统整合能力均提出了极高要求。Preforma Uniflash? 系列的推出，不仅进一步丰富了中微公司的薄膜设备产品线，更以其在高精度、高性能原子层沉积领域的技术实力，实现了半导体工艺应用上的全新突破，为中微公司长期发展开辟了更为广阔的空间。

坚持突破创新构建多元产品矩阵

中微公司在新兴技术领域的布局同样令人瞩目，其发布的全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita? RP，凭借独特设计成为行业焦点。作为目前市场上独有的双腔设计外延减压设备，其反应腔体积为全球最小，且可灵活配置多至6个反应腔，在显著降低生产成本与化学品消耗的同时，实现了高生产效率。该设备搭载拥有完全自主知识产权的双腔设计、多层独立控制气体分区，以及具备多个径向调节能力的温场和温控设计，确保了优秀的流场与温场均匀性及调节能力。凭借卓越的工艺适应性和兼容性，该设备可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。去年8 月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证，进展顺利，并将和更多的客户展开合作。

作为国内高端半导体设备制造的领军者，中微公司的技术实力已得到全球市场的广泛认可。其等离子体刻蚀设备已应用于国际一线客户从65 纳米到 14 纳米、7 纳米、5 纳米及其他先进集成电路加工制造生产线，以及先进存储、先进封装生产线。其中，CCP 电容性高能等离子体刻蚀机和 ICP 电感性低能等离子体刻蚀机可覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求，在性能、稳定性等方面满足客户先进制程的严苛要求。截至2025年6月底，公司累计已有超 6800 台等离子体刻蚀和化学薄膜设备的反应台，在国内外 155条生产线实现量产和大规模重复性销售，深度融入全球半导体产业链。

中微公司始终坚持突破创新，强调“技术的创新、产品的差异化和知识产权保护”，公司目前在研项目涵盖六类设备、超二十款新设备的开发，包括新一代的CCP高能等离子体刻蚀设备、新一代的ICP低能等离子体刻蚀设备，晶圆边缘刻蚀设备，低压热化学沉积LPCVD及原子水平沉积ALD等薄膜设备、硅和锗硅外延EPI设备，新一代等离子体源的PECVD设备和电子束量检测等设备。在泛半导体微观制造领域，中微公司也在不断拓展产品布局，包括制造氮化镓基发光二极管，Mini-LED和Micro-LED的MOCVD设备，用于红黄光LED的MOCVD设备，制造碳化硅和氮化镓功率器件的MOCVD设备，制造MEMS的深硅刻蚀设备，先进封装Chiplet所需的TSV刻蚀设备和PVD设备，新型显示技术领域所需的核心薄膜及等离子体刻蚀设备等。

未来，中微公司将瞄准“打造世界级装备企业”战略目标，持续开发高端设备产品，不断提升产品的性能和质量、提高运营效率和风险管控能力，认真贯彻“五个十大”的企业文化，即“产品开发十大原则”、“战略销售十大准则”、“营运管理十大章法”、“精神文化十大作风”和“领导能力十大要点”，坚持三维立体发展战略，坚持有机生长和外延扩展的策略，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，力争尽早成为高端设备平台化公司，在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司！